Полупроводники

Полупроводниковые материалы (электронный учебник)

Полупроводниковыми называют материалы, являющиеся по удельной проводимости промежуточными между проводниковыми и диэлектрическими материалами и отличительным свойством которых является сильная зависимость удельной проводимости от концентрации и вида примесей или различных дефектов, а также в большинстве случаев от внешних энергетических воздействий (температуры, освещенности и т. п.).

Мелкие и глубокие примесные уровни в запрещенной зоне полупроводника

Рис.1. Мелкие и глубокие примесные уровни в запрещенной зоне полупроводника.

Вольтамперная характеристика р—n-перехода

Рис.2. Вольтамперная характеристика р—n-перехода

Схемы транзисторов

Рис.3. Схемы транзисторов типа р—n—р (а) и n—р—n (б):

Э – эмиттер, Б – база; К – коллектор.

Последовательность операций при изготовлении в интегральной микросхеме изолированного транзистора со скрытым слоем:

Рис.4. Последовательность операций при изготовлении в интегральной микросхеме изолированного транзистора со скрытым слоем:

а — исходная подложка р- типа; б — окисление; в — создание отверстий в окисле; г — получение диффузионного скрытого слоя; д — удаление окисла; е — нанесение эпитаксиального слоя; ж — создание диффузионного изолирующего пояса и диффузионной базы; з — получение диффузионного эмиттера

Микрофотография косого шлифа транзисторной структуры

Рис.5. Микрофотография косого шлифа транзисторной структуры со скрытым слоем

Маркировка промышленных сплавов кремния и германия

Марка материала	расшифровка
Марка материала	r, Ом×см (при 300К)	L, мм (при 300К)	примечание
КЭФ 0.02	0.01-0.03	-	Кремний n-типа (электронный), легированный фосфором
КЭФ 0.3/0.1	0.25-0.40	0.1	Кремний n-типа (электронный), легированный фосфором
КДБ 7.5/0.5	6.0-9.0	0.5	Кремний p-типа, легированный бором
ГЭС 0.004	0.003-0.005	-	Германий n-типа, легированный сурьмой
ГДГ 5.0/0.1	4.2-5.7	³1.0	Германий p-типа, легированный галлием

Схема технологического процесса изготовления маломощного сплавного транзистора

Ориентация и резка слитка	Þ	Обработка поверхности пластин	Þ	Разделение пластины
	Þ		Þ

Изготовление эмиттерных и коллекторных навесок	Þ	Подготовка припоев	Изготовление кристаллодержателя

ß		ß
Создание *p-n* переходов сплавлением		Припайка кристалла к кристаллодержателю

Изготовление основания корпуса	Подготовка электродной проволоки	Þ	Изготовление крышки корпуса	Þ	Проверка параметров, классификация, маркировка, испытания

ß			ß
Крепление держателя к основанию, присоединение электродных выводов			Защита лаком, герметизация, окраска, облужение контактов
					ß
					Контроль качества приборов

Материалы, представленные в данном разделе, предназначены для учебных целей. Любое их использование в коммерческих целях не приветствуется.

администратор раздела