 |
|
|
|
|
|
|
классификация материалов электронной
техники
|
|
|
|
|
Структура
атома и молекулы водорода: а —
простейшая планетарная модель
водородного атома (пунктиром показана
разрешенная, но не занятая электроном в
невозбужденном состоянии атома, орбита):
б — квантовомеханическая модель
электронной структуры двух уединенных
атомов водорода; в — то же. для
молекулы водорода (точками показана
плотность заряда электрона.
|
|
|
Энергетические соотношения для
простейшей модели атома водорода: 1
— ядро; 2
— орбита с электроном (для
наглядности показана
с наклоном); 3 —
энергетический уровень электрона. |
|
|
|
Энергетические уровни атома водорода.
|
|
|
|
Размеры атомов,
положительных и отрицательных ионов
некоторых элементов в ангстремах.
|
|
|
|
Примеры
молекул: а - неполярной (симметричной),
б - полярной
(несимметричной)
|
|
|
|
Структура алмаза (германия, кремния): а
– элементарная ячейка, б –
проекции на кристаллографические
плоскости.
|
|
|
|
Структура
и плотная упаковка ионов хлористого
натрия (а) и структура и
неплотная упаковка ионов хлористого
цезия (б)
|
|
|
|
Схема
строения металлического проводника (а)
и образования межмолекулярной связи Ван-дер-Ваальса
(б)
|
Пространственные
решетки кристаллических систем
|
Кристаллическая
система
|
Пространственная
решетка
|
Соотношения
между осевыми углами и осевыми
единицами
|
|
1.
Триклинная
|
I
|
Простая
|
a¹b¹c; a¹b¹¡=900
|
|
2.
Моноклинная
|
II
III
|
Простая
Базоцентрированная
|
a¹b¹c; a=¡=900 b¹900
|
|
3. Ромбоэдрическая (ортодромическая)
|
IV
V
VI
VII
|
Простая
Базоцентрированная
Объемоцентрированная
Гранецентрированная
|
a¹b¹c; a=b=¡=900
|
|
4.
Гексагональная
|
VIII
IX
|
Простая
Ромбоэдрическая
|
a=b¹c; a=b=900 ¡=1200
|
|
5.
Тетрагональная
|
X
XI
|
Простая
Объемоцентрированная
|
a=b¹c; a=b=¡=900
|
|
6.
Кубическая
|
XII
XIII
XIV
|
Простая
Объемоцентрированная
Гранецентрированная
|
a=b=c; a=b=¡=900
|
|
|
|
Пространственные
решетки шести кристаллических систем,
соответствующие таблице
|
|
|
|
Примеры обозначения
кристаллографических плоскостей и
направлений в кубических кристаллах с
помощью индексов Миллера
|
|
|
|
Дефекты
кристаллической решетки: а—посторонний
атом я узле решетки; б—пустой
узел (вакансия) и собственный атом в
междуузлии; в — перспективное
изображение расположения атомов около
краевой дислокации
|
|
|
|
Схема
расположения энергетических уровней: а
– уединенного атома; б –
неметаллического твердого тела. |
|
|
|
Схема
образования энергетических зон при
сближении атомов углерода: 1
— объединенная валентная зона; 2
— объединенная зона проводимости; 3—
запрещенная зона;
a0—расстояние
между атомами в решетке алмаза; Х0
— расстояние между атомами, при
котором имеется совпадение зон
|
|
|